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我校郑亚虹教授应邀参加国际晶体生长会议

时间:2016-09-01 作者:办公室 点击:[]


三年一度的国际晶体生长会议(ICCGE-18) 于今年87日至812日于日本名古屋举行。我校郑亚虹老师应邀参加了本次会议,并在会议上发表交流了研究成果“Growth Morphologies of Fe Nanoparticles in Liquid of the Copper Alloy”。

近年来,郑亚虹教授着力于材料学、铸造等方面研究,取得了丰硕的成果,在SCI、EI及核心期刊发表论文10多篇。郑教授此次参会是继2010ICCGE-16(北京)、2013ICCGE-17(华沙)之后,第三次应邀参会,标志其研究成果处于国际晶体生长领域研究前沿。

国际晶体生长会议自1966年 在美国波士顿举办第一届起,一直是晶体生长科学技术领域最高级别的国际学术盛会。其内容涉及晶体生长基础研究,晶体生长方法与技术,半导体晶体和各种功能 晶体材料,晶体结构、性质、表征、后处理及应用。随着科学技术的发展,簿膜、微纳米晶体等低维晶体材料的生长及研究也成为会议的重要内容和组成部分。这次会议得到日本承办者的高度重视,特邀诺贝尔物理奖获得者赤崎勇教授作专题报告,日本皇太子出席开幕式并致辞。

会议期间,郑教授一行还专程参访了名古屋大学以及著名的天野(2014年诺贝尔物理奖获得者天野浩)研究室,并与研究人员进行了广泛深入的交流。名古屋大学先后有六位学者获得诺贝尔奖,是日本获诺奖人数最多的大学之一。



会议颁奖.jpg



参访天野研究室.jpg


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